The electrical properties of bulk InxSe1-x prepared by quenching from the melt is investigated. It is found that this system exhibits non-linear I-U characteristics and switching phenomena. Resistivity and regime of switching for both, amorphous and polycrystalline phases depend on the Se content. The threshold voltage decreases with increasing the ambient temperature, and shows a complex behaviour with Se concentration. X-ray examination for annealed samples shows phase separation of crystalline Se, InSe, or In2Se2 depending on the original composition. The switching phenomena are discussed on the basis of thermally induced transformations. It is suggested that the existence of a low-resistivity state may be attributed to the formation of filaments of crystalline phases acting as conduction paths between the two electrodes.

Translated Abstract:
Die elektrischen Eigenschaften von Volumen-InxSe1-x, das aus abgeschrecktem flüssigen Metall hergestellt wird, werden untersucht. Es wird gefunden, daß das System keine linearen I-U-Charakteristiken aufweist und Schaltungsphänomene zeigt. Der spezifische Widerstand und das Schaltregime für die amorphe und polykristalline Phase hängen vom Se-Gehalt ab. Die Schwellen-spannung nimmt mit der Temperatur ab und zeigt komplexes Verhalten mit Erhohung der Se-Konzentration. Röntgenuntersuchungen von getemperten Proben zeigen Phasentrennung von Se, InSe oder In2Se3, die von der ursprünglichen Zusammensetzung abhängt. Das Schaltungsphanomen wird auf der Grundlage von thermisch induzierten Phasenübergängen diskutiert. Es wird angenommen, daß der Zustand mit niedrigem spezif ischen Widerstand auf der Bildung von Filamenten der Kristallphase beruht, welche als leitende Pfade zwischen den beiden Elektroden wirken.