InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

كلية الهندسة

جامعة اسيوط

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

مؤلف البحث
M. Atef, P. Hazdra, V.Komarnitskyy, J. Oswald, K. Kuldova, A. Hospodkova, E. Hulicius and J. Pangrac
المشارك في البحث
Mohamed Atef Elsayed Abdelaal
قسم البحث
الهندسة الكهربائية
سنة البحث
2007
مجلة البحث
Journal of Acta Metallurgica Slovaca Spec.Issue
عدد البحث
Vol. 13, No. 5
تصنيف البحث
1
صفحات البحث
pp.99-104